清溢光电拟不超15亿元投建高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期

11月9日，清溢光电公告称，公司控股子公司佛山清溢微拟在现有高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期、二期基础上投资建设“高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期”，第三期项目计划总投资额不超过人民币15亿元，主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版。

根据公告，该项目建设地点位于佛山市南海区，方式是在佛山清溢微现有厂房基础上改造并引入新设备扩建生产线，预计2026年12月开工，建设期为36个月。

项目尚需履行备案、环评等审批手续。

目前“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”已顺利投产，“高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期”正稳步推进中。

清溢光电表示，本项目建设完成后，可提高公司半导体掩膜版产品的技术能力和产能，优化公司半导体掩膜版的产品结构，提升技术和工艺水平，提升公司在半导体掩膜版市场占有率。