近日，据韩国ZDNet报道，三星电子计划于2027年初完成下一代先进封装技术3D Cube-H的开发，并同期推出首套设计工具包，随后启动潜在客户评估。
该技术采用混合键合（HybridBonding），通过铜与铜直接连接实现芯片垂直堆叠，互连间距目标约为6微米，较三星现有热压键合（TC Bonding）约25微米的最小间距明显缩小。
相比传统技术，混合键合能够提高芯片连接密度、改善散热并降低数据传输能耗，适用于高性能AI芯片、GPU堆叠及逻辑芯片与HBM集成。
此前，三星电子已经开发出采用热压键合技术的3D Cube-T，现正推出采用混合键合技术的3D Cube-H，以进一步提高芯片间的连接密度和性能。
三星希望借此增强先进封装竞争力，为争取大型科技企业AI芯片代工订单创造条件。