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2-6英寸二氧化硅(SiO2)抛光硅片参数规格
生长方式: 直拉 CZ
氧化方式:热氧化制备
型号: N型/磷、砷、锑 P型/硼 (掺杂元素)
晶向: 111/100
电阻: 0.001-25Ω·cm(电阻范围可选、也可按照客户需要订制)
厚度: 250-600(厚度范围可选、也可按照客户需要订制)
氧化层厚度:50nm-1000nm(氧化层厚度范围可选、也可按照客户需要订制)
平整度TIR:<3μm
弯曲度Bow: <15μm
翘曲度TTV: <15μm
粗糙度nm : <0.5nm
库存现有厚度:需订制
盒装硅片 : 25片装(镀铝箔真空包装)
上述概括了此产品参数,对产品有其它厚度或者参数要求请与本公司详谈!
注:硅片尺寸不同氧化层厚度不同价格也会不同,具体请联系我们。