供应区熔高阻本征硅片 半导体硅片

2-6寸本征高阻不掺杂抛光硅片参数规格

生长方式：  区熔 FZ

     晶向： 111/100

    电阻： 800-5000Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）

    厚度： 300-5000μm（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）

 

 平整度TIR：<3μm

 弯曲度Bow:  <15μm

翘曲度TTV:  <15μm

粗糙度nm :  <0.5nm

库存现有厚度：需订制

盒装硅片 :25片装(镀铝箔真空包装)

上述概括了此产品参数，对产品有其它厚度或者参数要求请与本公司详谈！

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