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2-6寸本征高阻不掺杂抛光硅片参数规格
生长方式： 区熔 FZ
晶向： 111/100
电阻： 800-5000Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）
厚度： 300-5000μm（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）
平整度TIR：<3μm
弯曲度Bow: <15μm
翘曲度TTV: <15μm
粗糙度nm : <0.5nm
库存现有厚度：需订制
盒装硅片 :25片装(镀铝箔真空包装)
上述概括了此产品参数，对产品有其它厚度或者参数要求请与本公司详谈！联系方式：13735050004
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