156 X156 多晶硅片

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项目 标准
导电类型 P
掺杂剂 硼
边长 156±0.5mm
形状 方形
电阻率 0.5-3Ω.cm
少子寿命 ≥2μs
氧含量 ≤1×1018atoms/cm3
碳含量 ≤8×1017atoms/cm3
翘曲度 ≤30μm
总厚度差异 ≤40μm
位错密度 ≤40μm
线痕 ≤40μm
崩边 宽度≤0.4mm，延伸≤0.8mm，每片总数量≤2个，间隔≥30mm
表面质量 表面清洁；无裂纹，明显刀痕，凹坑，缺口，孔洞