单晶硅片125*125（R165)

晶体类型

单晶

生长方式

CZ

导电类型

P型

掺杂剂

硼

晶向

<100>±1°

电阻率

0.5~3.0Ω . cm; 3.0~6.0Ω . cm

少子寿命

≥ 10μs

氧含量

≤1.0×10¹⁸atoms/cm³

碳含量

≤ 5×10¹⁶atoms/cm³

硅片边长

125×125±0.5mm

硅片直径

165±0.5mm

厚度

180±20μm

总厚度差异

≤30μm

线痕

≤20μm

翘曲度

≤35μm

裂缝

无

崩边

无

表面质量

清洁,无污,无指纹,无凹坑,无孔洞