据了解,10年来,中能硅业立足自主研发,持续增加研发投入力度和对自主知识产权的保护力度,依靠技术创新,对国际通用的西门子法进行深度突破、集成再造,研发了具有自主知识产权的“GCL”新工艺,告别了西方同行一统天下的历史,实现了光伏原材料的完全自主制造。此种技术能够高效地利用三氯氢硅,生产耗电较少,此次获得中国专利优秀奖,是对中能硅业持续创新和重视知识产权的肯定,也意味着公司的技术创新和知识产权管理工作迈上了新的台阶。
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