法国马锡--(美国商业资讯)--Alchimer有限公司（Alchimer S.A.）是半导体互连部件和三维硅通孔（TSV）纳米薄膜沉积技术的领先提供商。公司今天宣布，在硅通孔的形成方面取得了一项突破性的进展，可免去传统金属化步骤之中的一步操作。
Alchimer公司的最新产品AquiVia XS可消除标准的绝缘-阻挡-晶种工艺流程中晶种层步骤，从而可以在涂敷了阻挡层之后直接进行体填充（bulk fill）。新产品也是第一套支持镍金属化和铜金属化的沉积解决方案。
Alchimer公司首席执行官Steve Lerner说，“AquiVia产品系列的这一新成员扩大了我们的市场，给客户提供了宝贵的战略性选择，也拉大了Alchimer解决方案与传统干法沉积工艺之间在拥有成本上的差距。芯片制造业的客户需要跟上市场对垂直集成设备快速扩大的需求，而AquiVia XS解决方案可以同时兼顾薄膜质量、广泛适用性和成本优势，这在从前是无法实现的。”
对典型的 5 x 50 μm硅通孔进行拥有成本分析，结果显示，与传统的干法工艺堆叠相比，采用AquiVia工艺，拥有成本可降低80%。
与AquiVia工艺类似，AquiVia XS能够利用现有的镀覆设备实现镀层的沉积，因此，硅通孔金属化制程完全不必再使用各类干法工艺技术。因此，孔堆叠金属化工艺的拥有成本最高可降低80%。采用这两种产品，在20：1及更高深宽比的硅通孔上就可以形成台阶覆盖性和一致性优良的镀覆层，即使是采用DRIE/Bosch工艺产生的十分明显的扇形（scalloped）硅通孔腐蚀断面也同样适用。
可立即进行AquiVia XS的演示和授权许可。
更详细的拥有成本数据以及利用AquiVia XS工艺生成的薄膜的图像可在下列网址查阅：kathy.cook@alchimer.com
或者
Sarah-Lyle Dampoux
Loomis Group
电话：+33 1 58 18 59 30
或者
SangSok (s.s.) Lee
Lenix Technology公司
韩国
电话：+82-31-919-5561
或者
长濑产业株式会社
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Masato Shimura
Yoshinori Oba
