新推出的IGBT器件能够提高系统的开关性能,降低电路设计的复杂度,此外由于无需加装电容器和齐纳二极管,它还可以降低系统成本。通常,为了达到最高的能效和耐用性需要加装电容器和齐纳二极管,但采用TRENCHSTOP 5 S5无需加装它们。此外,新器件的浪涌电流处理能力提高了25%,可进一步提高器件的耐用性和质量水平,让客户对自身设计的坚固性更有信心。在175°C的温度下,新推出的器件的典型饱和电压 VCE(sat) 仅为1.60 V,创行业新低。因此,即便在高温工作条件下,新器件也能保持较高的能效。
供货情况
首批推出的全新IGBT型号的电流级别分别为30A、40A、50A和75A,采用三管脚TO-247封装,混装Rapid1续流二极管。
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