国家知识产权局已正式受理东汽峨半首个专利申请

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    日前，国家知识产权局向东汽峨半厂所发来书面通知，正式受理厂所关于《真空区熔高阻硅单晶的制备方法》的首个专利申请，该专利申请的受理，标志着厂、所在知识产权保护方面迈出了实质性的一步。

    多年来，由于受到旧观点及特殊历史环境的影响，厂、所研发的大量的科技成果均没有申报专利，导致了一些技术秘密的流失，极大地削弱了厂、所的市场竞争力。随着近年来厂所的快速发展，特别是东汽入主后，知识产权方面的现状引起了厂、所决策层的高度重视，将知识产权保护作为一项重要任务来抓，并责成科研处具体负责。自2008年，科研处工作人员为专利申报做了大量的基础准备工作，对厂、所现有的科技成果状况进行了梳理，就可能申报专利的科技成果进行了专利查新，多次与专利事务所、地方知识产权局等单位洽谈，最终确定将《真空区熔高阻硅单晶的制备方法》作为专利向国家提出首个专利申请，并顺利获得受理。此次专利申报工作的开展，为规范厂、所知识产权保护工作打开了新局面，今后科研处全体工作人员将进一步加强工作力度，提高知识产权保护工作管理水平，为厂、所又好又快的发展作贡献。