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局部背接触结构单晶Si 太阳电池的研

2011-02-02 18:136980下载
文件类型：PDF文档
文件大小：0.28M
励旭东3 , 何少琪
(北京市太阳能研究所,北京100083)
摘要:报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用,
设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4
mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , FF= 0. 8014 ,电池面积为4 cm2 )的太阳电池。
关键词:激光刻槽埋栅太阳电池; 局部背接触结构
中图分类号:TM914. 4 　　文献标识码:A 　　文章编号:100520086(2007) 0220184203


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