文件类型：PDF文档
文件大小：0.74M
中华人民共和国国家知识产权局发明专利申请公布说明书 C01B 33/025(2006.01)
2011-04-22 21:366200下载
点赞 0
反对 0
举报 0
收藏 0
评论 0
- 300mm硅单晶的生长技术
0下载378浏览0.1M
- United States Patent 5013603
0下载673浏览0.32M
- United States Patent 6368568 B1
0下载727浏览0.22M
- NTD氢区熔单晶硅退火行为研究
0下载477浏览0.38M
- 改良西门子法多晶硅生产中分离工艺的改进
0下载373浏览0.25M
- 硅单晶生长和硅片准备
0下载441浏览1.74M
- 粒状多晶硅生产概况
1下载469浏览0.14M
- 硅片厚度对多晶硅太阳电池性能的影响
0下载526浏览0.16M
- 三氯氢硅合成尾气的总回收
0下载396浏览0.23M
- 现行多晶硅生产流程中如何增效降耗问题的探讨
0下载589浏览0.08M